ARM发布量产的基于TSMC 90nm工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP  

出　　处：《电子设计应用》2007年第2期105-105,共1页Electronic Design & Application World

摘　　要：ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的VelocityDDR1和DDR2（1／2）存储器接口，支持TSMC的90nm通用工艺。VelocityDDR1／2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90nm，可量产的IP。该解决方案包括多组可编程ODT（on—die termination）和输出驱动阻抗控制，所有的端头在使用ARM先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗精度。

关 键 词：90nm工艺 存储器接口 ARM公司 TSMC IP DDR2 布量 阻抗控制 

分 类 号：TP273[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]