基于APD门模式的单光子探测器的性能分析  

作　　者：艾青[1] 万钧力[1] 罗海月[1] 

机构地区：[1]三峡大学电气信息学院,湖北宜昌443002

出　　处：《技术与市场》2007年第2期35-37,共3页Technology and Market

摘　　要：以InGaAsP/InP雪崩光电二极管(APD)为核心器件的红外单光子探测技术,在量子信息技术领域的广泛应用,使其成为近年的研究热点。根据InGaAsP/InPAPD在红外通信波段实现单光子探测的要求和特点,通过APD的门控电路和实验结果分析,探讨了门模式下各种参数与暗计数率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系,为门模参数的选择提供依据。结果表明:偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择,对提高探测器性能起着关键的作用。

关 键 词：单光子探测 雪崩光电二极管 门模式 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]