低温NMOS器件衬底电流的测试与分析  

作　　者：孟江生 魏同立 郑茳 张佐兰 周东海 

出　　处：《电子器件》1989年第4期40-41,12,共3页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文测量了低温(77K)下NMOSFET的衬底电流随偏置电压V_(GS)、V_(DS)和V_(BS)的变化曲线以及衬底电流与应力作用时间的关系。并与常温(300K)下进行了比较。测量结果表明:低温(77K)下NMOSFET的衬底电流比常温(300K)下增大了一个数量级。最后,分析了电场对衬底电流的影响,讨论了低温下衬底电流增大的物理机理。

关 键 词：NMOS器件 测试 衬底 电流 分析 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]