基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路  

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

作　　者：李萍剑[1] 张文静[1] 张琦锋[1] 吴锦雷[1] 

机构地区：[1]北京大学电子学系,北京100871

出　　处：《物理学报》2007年第2期1054-1060,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);国家自然科学基金(批准号:90206048;90406014;90406024;60471007);北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题~~

摘　　要：展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路,分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器,以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门.其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道,而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道,器件的源漏电极均为铂电极.We demonstrate logic circuits with carbon nanotube field-effect transistors （CNTFETs）. The p-type CNTFETs are fabricated based on single-walled carbon nanotubes and n-type CNTFETs are fabricated based on nitrogen-doped multiwalled carbon nanotubes. To be specitic, we demonstrate three types of logic circuits with CNTFETs, which include an inverter （a p-type CNTFET）, a complementary inverter （a p-type CNTFET and an n-type CNTFET in a single clip）, and a logic NOR （two p-type CNTFETs）.

关 键 词：碳纳米管 场效应管 逻辑电路 

分 类 号：TN791[电子电信—电路与系统]