半导体衬底晶体材料生长真空系统  

出　　处：《表面技术》2007年第1期74-74,共1页Surface Technology

摘　　要：一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。本发明为半导体衬底晶体材料生长提供一个优质洁净的超高真空环境，真空室内极限真空度可达3×10^-8Pa。

关 键 词：高真空系统 半导体衬底 晶体生长 材料生长 钛离子泵 真空阀门 真空管道 极限真空度 

分 类 号：TQ621.12[化学工程—精细化工]