溅射FeZrN薄膜的结构和磁性能  

作　　者：耿胜利[1] 肖春涛[1] 杨正 

机构地区：[1]兰州大学物理系

出　　处：《磁记录材料》1996年第4期10-12,共3页Magnetic Recording Materiais

摘　　要：用射频溅射法在Ar＋N2混和气氛中制备了FeZrN膜，研究了制备条件及退火温度对样品结构及磁性能的影响。样品膜均由（110）取向的α-Fe小晶粒组成。Zr的添加有效地抑制了FeZrN膜中Fe4N相的生成，而Zr和N的加入不仅有利于减小晶粒尺寸，而且能抑制非磁性初生层的生长，改善了软磁性能的热稳定性。

关 键 词：带基薄膜 磁记录 射频溅射 

分 类 号：TQ586.2[化学工程—精细化工]