利用光导开关产生瞬态电脉冲研究  

The Study of Instant Pulse Generated by Photoconductive Semiconductor Switches

作　　者：杨宏春[1] 阮成礼[1] 吴明和[1] 崔海娟[1] 曾刚[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054

出　　处：《压电与声光》2007年第1期6-9,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：自然科学基金资助项目(10390160);国家重点实验室基金资助项目(YAK200501);电子科技大学青年基金资助项目(JX03019)

摘　　要：介绍了利用高阻特性的GaAsI、nP:Fe材料研制光导开关的方法,并得出光导开关在产生低功率皮秒电脉冲、高功率纳秒电脉冲及产生电脉冲的稳定性与输入、输出电压比等性能参数测试的实验结果。最后,介绍了光导开关处于线性与非线性临界状态下的几个重要实验新现象。The technological process of photoconductive semiconductor switches which fabricated by high resistive GaAs or InP ：Fe material is introduced. The experimental progress of low power pico-second pulse, high power nanosecond pulse, the stabilization property, the ratio of output and input voltage is reported. Some important new phenomena of the photoconductive semiconductor switches working in critical situation between line and lock on modelare discovered and introduced.

关 键 词：光导开关 实验研究 超短脉冲 

分 类 号：TN201[电子电信—物理电子学]