深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应  

Total Ionizing Dose Effects of Deep Submicron nMOSFET Devices

作　　者：孟志琴[1] 郝跃[1] 唐瑜[1] 马晓华[1] 朱志炜[1] 李永坤[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第2期241-245,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376024)~~

摘　　要：选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.We study the total ionizing dose sensitivity of 0.25μm nMOSFETs. The off-state leakage current, transconductance,and the gate leakage current of the devices are monitored. Experiment shows that the effect on irradiation is mostly caused by the space charges in the field oxide,which is verified by simulation.

关 键 词：X射线 辐射 总剂量效应 关态泄漏电流 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]