GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析  

Large Signal Modeling of GaAs HFET/PHEMT

作　　者：张书敬[1,2] 杨瑞霞[1] 高学邦[3] 杨克武[3] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院 [2]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄050051 [3]中国电子科技集团公司第13研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第3期439-443,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.The large-signal modeling of a GaAs HFET/PHEMT is the key of designing a microwave integrated power amplifier. Through analyzing the modeling design, calibrating it on-wafer, and applying appropriate measurement techniques, we develop a modified charge conservation EEHEMT1 model. This is accomplished by using modified Cold FET measurement technology and adopting the testing technique on-wafer and combining it with narrow pulse testing technology. The experimental results agree closely with simulated results.

关 键 词：砷化镓场效应晶体管 微波集成电路 功率器件模型 测试结构 精确建模 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]