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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:骞海荣[1] 邹雪城[1] 陈卫洁[1] 涂熙[1]
机构地区:[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074
出 处:《微电子学》2007年第1期132-135,共4页Microelectronics
摘 要:通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电容为1.0μF。负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%。Based on the frequency-domain analysis of conventional single-loop LDO, a dual-loop LDO regulator structure with fast transient response is proposed, which improves dc open-loop gain while maintaining the unity gain bandwidth, thus increasing the transient response of LDO regulator. The regulator was fabricated in 0. 6 μm BiCMOS high-voltage process technology. In Hspice simulation, an output capacitance of 2. 2μF with an equivalent series resistance (ESR) of 0. 5 Ω, and a bypass capacitance of 1.0μF are obtained. With load current varying from 20 mA to 180 mA, its load regulation is only 0. 6%.
关 键 词:双环路LDO稳压器 直流增益 单位增益带宽 负载调整 线性调整
分 类 号:TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]
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