陈卫洁

作品数：4被引量：14H指数：2
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：BICMOS工艺驱动电路LDO稳压器单位增益带宽环路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《计算机与数字工程》《微电子学》更多>>
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同步整流DC/DC升压芯片中驱动电路的设计
《计算机与数字工程》2007年第3期164-166,共3页程帅 邹雪城 陈卫洁 邓敏 
在DC/DC转换芯片中,为了保证功率开关管及时导通和截止,需要设计专门的驱动电路。本文设计了同步整流驱动电路,通过引入负跳沿延时单元,消除了CMOS瞬态短路导通现象,降低了功耗,保护了输出级。HSPICE仿真表明,驱动电路延时小于14ns,能...
关键词：驱动电路 同步整流 直流/直流 衬底控制 
一种快速瞬态响应双环路LDO稳压器的设计被引量：8
《微电子学》2007年第1期132-135,共4页骞海荣 邹雪城 陈卫洁 涂熙 
通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电...
关键词：双环路LDO稳压器 直流增益 单位增益带宽 负载调整 线性调整 
一种超宽共模输入范围高性能运算放大器的设计被引量：5
《微电子学与计算机》2007年第1期79-81,共3页陈卫洁 邹雪城 程帅 邓敏 
在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题。电路采用1.6μm的P衬N阱Bi...
关键词：超宽输入范围 共模电平 输入管饱和 BICMOS工艺 
电源管理芯片中热关断电路的设计被引量：1
《微电子学与计算机》2006年第11期152-154,共3页童乔凌 邹雪城 郑朝霞 陈卫洁 
为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术:利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性。在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路:电路结构非常紧凑,采用1.5μm的P衬N阱数模混合1P2MBiCMOS工艺。Hspice仿真...
关键词：电源管理芯片 热关断 迟滞 BICMOS工艺 负温度特性 
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