邓敏

作品数：3被引量：10H指数：2
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供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题：超宽超低功耗设计EEPROMBICMOS工艺RFID更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《计算机与数字工程》《微电子学与计算机》更多>>
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RFID中嵌入式EEPROM的超低功耗设计被引量：5
《微电子学与计算机》2007年第7期169-172,共4页张帆 邹雪城 刘冬生 邓敏 
基于SMIC 0.35μm嵌入式EEPROM工艺实现了一款256byte的超低功耗EEPROM IP核。典型情况下,读电流为40μA,页编程电流为250μA,特别适合RFID(Radio Frequency Identification)标签芯片的应用。针对芯片中各种功耗的来源进行了详细的分析...
关键词：EEPROM RFID标签芯片 灵敏放大器 电荷泵 低功耗 
同步整流DC/DC升压芯片中驱动电路的设计
《计算机与数字工程》2007年第3期164-166,共3页程帅 邹雪城 陈卫洁 邓敏 
在DC/DC转换芯片中,为了保证功率开关管及时导通和截止,需要设计专门的驱动电路。本文设计了同步整流驱动电路,通过引入负跳沿延时单元,消除了CMOS瞬态短路导通现象,降低了功耗,保护了输出级。HSPICE仿真表明,驱动电路延时小于14ns,能...
关键词：驱动电路 同步整流 直流/直流 衬底控制 
一种超宽共模输入范围高性能运算放大器的设计被引量：5
《微电子学与计算机》2007年第1期79-81,共3页陈卫洁 邹雪城 程帅 邓敏 
在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题。电路采用1.6μm的P衬N阱Bi...
关键词：超宽输入范围 共模电平 输入管饱和 BICMOS工艺 
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