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作 者:杨坤[1,2] 杨筠[1] 林志明[1] 李江涛[1]
机构地区:[1]中国科学院理化技术研究所 [2]中国科学院研究生院,北京100049
出 处:《无机材料学报》2007年第2期263-267,共5页Journal of Inorganic Materials
基 金:国家自然科学基金(50372074)
摘 要:以硅粉和碳黑为初始原料,通过机械活化和化学活化预处理,实现了Si-C体系在较低温度下燃烧合成SiC.采用XRD、SEM.和EDS等手段,分析了合成产物的相组成和微观结构特征.结果表明:机械活化预处理可使燃烧反应诱发温度降低至1050℃,合成SiC粉体的比表面积为4.36 m2/g,平均粒径<5μm.Mechanical-activation-assisted combustion synthesis of SiC was conducted with PVC and/or NH4Cl as promoters. The mechanical activation of the Si-C reactants through high-energy attrition milling results in substantial decrease of the ignition temperature and the incubation time for the Si-C combustion reaction. Ultra-fine β-SiC powders with equiaxed grains can be synthesized at the preheating temperature as low as 1050℃. The specific surface area (SSA) of the combustion synthesized SiC powders is 4.36m^2/g, and the average particle size is less than 5μm.
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