检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:林世鸣[1] 高洪海[1] 张春辉 吴荣汉[1] 庄岩[1] 王玉田[1]
机构地区:[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
出 处:《Journal of Semiconductors》1996年第4期257-260,共4页半导体学报(英文版)
基 金:国家自然科学基金
摘 要:本文利用X光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的分布布喇格反射境(DBR)的特性曲线进行了模拟研究.从中得到DBRAlAs/AIxGa1-xAs的厚度及组分x值,应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算,并与实验所测得的DBR反射谱进行比较,得到了证实.我们应用这套方法指导VCSEL外延片的生长,获得了良好的结果.Abstract We simulated the characteristic curve of Distributed Bragg Reflectors(DBR) of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSEL) using the double-crystal X-ray diffraction dynamics theory. Based on the simulation, the epitaxy layer thickness and A1 composition of DBR were obtained. And then, we simulated the reflectivity spectrum, it coincided well with the experiment curve. We used this method in the VCSEL research and obtained good results.
分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:18.222.188.103