Ce:Cu:LiNbO_3晶体抗光致散射性能研究  

作　　者：杨飞[1] 黄金哲[1] 

机构地区：[1]哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《科技信息》2007年第7期94-94,18,共2页Science & Technology Information

摘　　要：用提拉法从熔体生长出来了Ce(0.09%),Cu(0.01%)LiNbO3(Ce:Cu:LiNbO3)晶体,切割后分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用。

关 键 词：铌酸锂晶体 抗光致散射 衍射效率 体全息 

分 类 号：O734.1[理学—晶体学]