SiC_2分子电子光谱的ab initio研究  

作　　者：蔡正理[1] 张晓光[2] 王秀岩[2] 

机构地区：[1]南京理工大学化工学院,南京210014 [2]中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室,大连116023

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1996年第4期446-449,共4页

摘　　要：在MRSDCI/DZ+P水平上,计算了SiC_2分子7个电子态X^1A_1,~3B_2,~1B_2,~38_1,~1B_1,~3A_2和~1A_2的平衡构型和激发能。所得X^1A_1,和~1B_2态的平衡构型以及X^1A_1→~1D_2的激发能和实验值符合很好。在MRSDCI波函数的基础上,计算了1B_2→X^A_2和1B_1→X^1A_1跃迁的电子跃迁偶极矩、振子强度以及~1B_2和~1B_1态的辐射寿命,预测的结果和实验相近。

关 键 词：MRSDCI 碳化硅 分子 构型 电子光谱 激光发能 

分 类 号：O561.3[理学—原子与分子物理]