高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合微波振荡器的研制  

作　　者：金飚兵[1] 康琳[1] 伍瑞新[1] 张健羽 程其恒[1] 吴培亨[1] 经东[2] 焦刚[2] 邵凯[2] 蒋明明[3] 张家宗[3] 孙敏松[3] 王蕴仪[3] 周岳亮[4] 吕惠宾[4] 许世发[4] 何萌[4] 王小平[5] 杨秉川[5] 卢剑[6] 张其劭[6] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程系 [2]南京电子器件研究所,南京210016 [3]东南大学毫米波国家重点实验室,南京210096 [4]中国科学院物理研究所,北京100080 [5]北京有色金属研究总院,北京100088 [6]成都电子科技大学,成都610054

出　　处：《中国科学（A辑）》1996年第12期1126-1130,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金;国家超导技术联合研究开发中心资助项目

摘　　要：研制了一种高T_c超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜上。该振荡器采用共源和栅结串联反馈电路结构,以GaAs MESFET(NE72084)为负阻元件,利用高品质因数的超导微带谐振器作为稳频元件。通过提高谐振器的品质因数和调节它与MESFET的耦合强度,降低了振荡器的相位噪声。相位噪声在偏离载频(10.6GHz)为10kHz时达到-87dBc/Hz。

关 键 词：超导薄膜 砷化镓 场效应器件 微波振荡器 高TC 

分 类 号：TN752.5[电子电信—电路与系统]