一种低压低温度系数带隙基准电路设计  

作　　者：张奉江[1] 张红[1] 张正璠[2] 

机构地区：[1]重庆邮电大学 [2]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《电子元器件应用》2007年第2期46-48,52,共4页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：介绍了一种工作在3.3V电压下,适合于标准CMOS工艺的新型带隙基准电路。由于传统的带隙基准电路是利用三极管的短接电压VBE与热电压VT和kT/q乘积的和产生的。因此其VREF大约为1.25V,这就限制了低于1V的带隙输出电压。而新型带隙基准电路的输出电压大约为695mV,并可方便地减小或者增大。新型电路的输出电压在190℃的温度范围内的变化值只有1.5mV,它的温度系数大约只有8ppm/°C。

关 键 词：带隙基准 低压 低温度系数 基准电路 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]