Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试  

Radiation Tests on Semiconductor Particle Detectors with Schottky Structure

作　　者：邵传芬[1] 史常忻[1] 张利民 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所 [2]上海市计量技术研究所

出　　处：《上海交通大学学报》1997年第1期98-100,共3页Journal of Shanghai Jiaotong University

基　　金：上海市自然科学基金;上海市高教局资助

摘　　要：提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器．A particle detector with metal semiconductor metal structure is reported in this paper. This detector of 9 mm 2 is fabricated with the semi insulation GaAs material of high mobility. Having experienced by electronic radiation test with 500 kGy or 1 MGy of 1.5 MeV and radioactivity Gamma test of 300 or 500 kGy,the detector can work normally and is proved a promising particle detector under radiation hardness.

关 键 词：肖特基结构 辐射 半导体探测器 粒子探测器 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]