邵传芬

作品数：14被引量：9H指数：1
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供职机构：上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
发文主题：粒子探测器GAAS砷化镓探测器MSM结构更多>>
发文领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《核技术》《微电子学与计算机》《半导体光电》《微电子学》更多>>
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GaAs微条粒子探测器的设计被引量：2
《固体电子学研究与进展》2004年第1期60-63,共4页邵传芬 史常忻 凌行 温伯莹 
上海市自然科学基金项目 (编号 :99ZD14 0 0 5 )
介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm...
关键词：GAAS 微条粒子 探测器 反向电击穿 二极管 
GaAs微条粒子探测器的辐照特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第2期221-224,共4页邵传芬 朱美华 史常忻 
上海市自然科学基金资助项目 (批准号 :99ZD14 0 0 5 )~~
设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能...
关键词：GaAs微条粒子探测器 辐照特性 高能粒子辐照 金属-半导体-金属结构 
双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2000年第8期792-797,共6页邵传芬 史常忻 
上海市自然科学基金资助项目
双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲...
关键词：粒子探测器 Schottky势垒 砷化镓 
MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能
《高能物理与核物理》2000年第5期431-438,共8页李澄 陈宏芳 吴冲 张永明 许咨宗 乐毅 邵传芬 史常忻 
国家自然科学基金资助
研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 .测量了探测器经过 1 0 12 n/cm2 中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱 ,并且与 6 0 Co 1 2 5MeV光子辐照的测量结果相比较 .对中子辐照引起...
关键词：GaAs半导体 粒子探测器 辐照损伤 MSM结构 
GaAs粒子探测器的能谱特性被引量：1
《固体电子学研究与进展》2000年第2期200-205,共6页邵传芬 史常忻 陈宏芳 李澄 
上海市自然科学基金!( 93ZD14 0 0 2 );上海市高教局资助项目
阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线...
关键词：能谱 砷化镓 离子探测器 
新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能被引量：1
《高能物理与核物理》1998年第12期1092-1099,共8页乐毅 李澄 陈宏芳 张永明 汪晓莲 王立刚 邵传芬 史常忻 
国家自然科学基金
研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能，测量了（241）Am5．48MeVα粒子、（57）Co122keV的光子和（90）Sr2．27MeVβ粒子的最小电离粒子谱，比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过（137）Cs662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收...
关键词：MSM结构 半导体 粒子探测器 砷化镓 
GaAs粒子探测器对低能X射线的响应被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第2期207-211,共5页邵传芬 史常忻 张利民 
上海市自然科学基金;上海市高教局资助
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其灵敏度相对也高。该探测器可作为X射线的线性传...
关键词：X射线 砷化镓 探测器 线性传感器 
平面交叉指状电极间电场分布被引量：1
《半导体光电》1998年第1期27-30,共4页史常忻 覃化 邵传芬 曹俊峰 
研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
关键词：半导体器件 MSM-PD 光电器件 
Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试被引量：1
《上海交通大学学报》1997年第1期98-100,共3页邵传芬 史常忻 张利民 
上海市自然科学基金;上海市高教局资助
提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射...
关键词：肖特基结构 辐射 半导体探测器 粒子探测器 
双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》1996年第1期24-27,共4页邵传芬 史常忻 徐秀琴 
研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，...
关键词：砷化镓 探测器 抗辐照 
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