GaAs微条粒子探测器的设计  被引量:2

The Design of GaAs Microstrip Particle Detectors

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作  者:邵传芬[1] 史常忻[1] 凌行[1] 温伯莹[2] 

机构地区:[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030 [2]上海大学理学院,上海200436

出  处:《固体电子学研究与进展》2004年第1期60-63,共4页Research & Progress of SSE

基  金:上海市自然科学基金项目 (编号 :99ZD14 0 0 5 )

摘  要:介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。This paper introduces a new idea and new design of chip and process of the manufacture of GaAs microstrip particle detectors.The length of each microstrip is 17 000 μm,and their widths are 20,50,100,200,300 μm respectively.The pitch of microstrip has 4 kinds,which are 50,100,200 and 300 μm.The area of the chip is 5.95 mm×17.00 mm.Their highest reverse breakdown voltage is 240 V,and the lowest reverse leakage current density is 0.025 μA/mm 2.They have high illumination-sensitivity.The irradiation characteristics of these microstrip particle detectors will be reported in another paper.

关 键 词:GAAS 微条粒子 探测器 反向电击穿 二极管 

分 类 号:TN36[电子电信—物理电子学]

 

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