新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能  

Properties of a New Kind of MSM Structure Gallium Arsenide Detectors

作　　者：乐毅[1] 李澄[1] 陈宏芳[1] 张永明[1] 汪晓莲[1] 王立刚 邵传芬[2] 史常忻[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学近代物理系,合肥230027 [2]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030

出　　处：《高能物理与核物理》1998年第12期1092-1099,共8页High Energy Physics and Nuclear Physics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能，测量了（241）Am5．48MeVα粒子、（57）Co122keV的光子和（90）Sr2．27MeVβ粒子的最小电离粒子谱，比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过（137）Cs662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率．测量结果显示这种新型金属─半导体─金属（MSM）结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力，而且具有很好的抗辐照性能．Properties of a new kind of double metal contact GaAs semiconductors have been investigated. We measured the spectra of 5.48MeV α particles from (241)Am,122keV photons from (57)Co and 2.27MeV MIPs from (90)Sr and compared the cce and FWHM of a 3×3mm2 GaAs detector before and after 1300rad 662keV photons from (137)Cs. The test results show that these new Metal-Semiconductor-Metal(MSW) structure semiconductor detectors not only have good particle detection ability at room temperature but also have excellent radiation hardiness.

关 键 词：MSM结构 半导体 粒子探测器 砷化镓 

分 类 号：TL815[核科学技术—核技术及应用]