MSM-PD

作品数：7被引量：9H指数：2
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金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析被引量：3
《光电子技术》2003年第2期121-125,共5页孙亚春 王庆康 
给出了金属 -半导体 -金属光电探测器 ( MSM- PD)高频特性的等效电路模型 ,在此模型基础上编写模拟分析程序 ,分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响 。
关键词：金属-半导体-金属光电探测器 MSM-PD 等效电路 截止频率 瞬态特性 光纤通信 
MSM-PD与RTD光电集成的模拟被引量：1
《半导体光电》2002年第5期303-305,共3页梁惠来 辛春艳 郭维廉 王振坤 
国家自然科学基金资助项目 (6 0 1770 10 ) ;天津市自然科学基金资助项目 (0 136 0 1411)
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相...
关键词：谐振隧穿二极管 金属-半导体-金属光探测器 光电集成 
具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算被引量：2
《固体电子学研究与进展》1998年第2期176-180,共5页覃化 史常忻 王森章 
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。
关键词：肖特基势垒 势垒增强层 暗电流特性 MSM-PD 
平面交叉指状电极间电场分布被引量：1
《半导体光电》1998年第1期27-30,共4页史常忻 覃化 邵传芬 曹俊峰 
研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出了使探测器内部电场均匀性、稳定性达到最佳的几何条件。
关键词：半导体器件 MSM-PD 光电器件 
InGaAs MSM-PD肖特基势垒增强层的研究
《应用科学学报》1997年第4期424-428,共5页朱红卫 史常忻 陈益新 
国家自然科学基金;中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室部分资助
通过在n型InGaAs光吸收层与金属接触间加入p型InGaAs势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了理论和实验研究．
关键词：光电探测器 势垒增强层 MSM-PD 肖特基势垒 
极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第1期22-26,共5页朱红卫 史常忻 陈益新 李同宁 
国家自然科学基金
本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一...
关键词：光电探测器 双重势垒增强层 设计 
InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展被引量：1
《半导体光电》1993年第3期238-242,249,共6页杨易 施惠英 
本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
关键词：抛垒加强层 MSM-PD/FET 单片集成 
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