施惠英

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文主题：单片集成MSM-PDINGAAS/INPFETPIN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
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InP系波导和光电探测器单片集成
《Journal of Semiconductors》1996年第1期51-54,共4页杨易 陈兴国 程宗权 王惠民 吕章德 蒋惠英 王晨 施惠英 吴学海 朱祖华 胡征 
国家自然科学基金
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ...
关键词：磷化铟 光波导 光电探测器 单片集成 
单片InGaAs／InP　PIN　PD阵列
《半导体光电》1994年第2期109-112,共4页杨易 施惠英 程宗权 
文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＰＩＮＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。
关键词：INGAAS/INP PIN PD 阵列 探测器 
InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展被引量：1
《半导体光电》1993年第3期238-242,249,共6页杨易 施惠英 
本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
关键词：抛垒加强层 MSM-PD/FET 单片集成 
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