胡征

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供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文主题：波导INP光电探测器单片集成磷化铟更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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InP系波导和光电探测器单片集成
《Journal of Semiconductors》1996年第1期51-54,共4页杨易 陈兴国 程宗权 王惠民 吕章德 蒋惠英 王晨 施惠英 吴学海 朱祖华 胡征 
国家自然科学基金
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ...
关键词：磷化铟 光波导 光电探测器 单片集成 
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