InGaAs MSM-PD肖特基势垒增强层的研究  

THE RESEARCH OF InGaAs MSM-PD SCHOTTKY BARRIER ENHANCEMENT LAYER

作　　者：朱红卫[1] 史常忻[1] 陈益新[1] 

机构地区：[1]上海交通大学

出　　处：《应用科学学报》1997年第4期424-428,共5页Journal of Applied Sciences

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室部分资助

摘　　要：通过在n型InGaAs光吸收层与金属接触间加入p型InGaAs势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了理论和实验研究．It is shown in this paper that the dark current of InGaAs MSM photodetectors can be greatly reduced with the structure of p-InGaAs Schottky barrier enhanccmcnt layer. Theoretical explanation is given and the lowest dark currents with the order of 10-11A are obtained in our experiments.

关 键 词：光电探测器 势垒增强层 MSM-PD 肖特基势垒 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]