Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻  

作　　者：赵昆[1] 邢杰[2] 刘玉资[2] 赵见高[2] 吕惠宾[2] 

机构地区：[1]中国石油大学(北京)数理系 [2]北京凝聚态国家实验室中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》2007年第7期752-755,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金项目(批准号:50672132;60576015);教育部科学技术研究重点项目(批准号:107020)资助

摘　　要：采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相:Fe,Fe3O4,γ-Fe2O3,FeO.高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗粒结构组成,其中核心是未氧化的Fe,外壳为Fe的氧化物.在室温时,低场正磁阻和高场负磁阻共存于Fe-氧化物薄膜中,利用壳层模型给出了初步解释.非线性电流-电压曲线和光生伏特效应进一步验证了薄膜的隧穿电导特性.

关 键 词：磁电阻 磁性 薄膜 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]