刘玉资

作品数:6被引量:6H指数:2
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供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文主题:电子全息ZNOP-GAN异质结自旋电子学更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》《物理学报》《科学通报》《电子显微学报》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
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Fe-氧化物薄膜的室温低场正磁电阻和高场负磁电阻被引量:2
《科学通报》2007年第7期752-755,共4页赵昆 邢杰 刘玉资 赵见高 吕惠宾 
国家自然科学基金项目(批准号:50672132;60576015);教育部科学技术研究重点项目(批准号:107020)资助
采用对靶溅射技术制备了多相共存的Fe-氧化物薄膜.X射线衍射和X射线光电子能谱的测试表明薄膜存在有多相:Fe,Fe3O4,γ-Fe2O3,FeO.高分辨透射电子显微镜结果表明薄膜由柱状颗粒结构组成,其中核心是未氧化的Fe,外壳为Fe的氧化物.在室温时...
关键词:磁电阻 磁性 薄膜 
电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性
《物理学报》2006年第11期5829-5834,共6页戴涛 刘玉资 张泽 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613500)资助的课题.~~
介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所...
关键词:电子全息 生长极性 极化 
n-ZnO/p-GaN异质结界面工程被引量:4
《电子显微学报》2005年第4期340-341,共2页曾兆权 杜小龙 刘玉资 英敏菊 梅增霞 郑浩 袁洪涛 郭丽伟 贾金锋 薛其坤 张泽 
国家重点基础研究发展规划项目(No.2002CB613500);国家自然科学基金资助项目.
关键词:ZNO GaN 发光二极管(LED) 界面工程 异质结 半导体材料 激光二极管 晶体结构 晶格常数 
纤维锌矿薄膜中30度旋转畴的TEM研究
《电子显微学报》2005年第4期350-350,共1页刘玉资 英敏菊 杜小龙 薛其坤 张泽 
国家重点基础研究发展规划项目(973)(No.2002CB613500)的资助.
关键词:GAN薄膜 锌矿 纤维 TEM 透射电子显微镜 旋转 宽禁带半导体 ZnO 微结构 
电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用
《电子显微学报》2005年第4期244-244,共1页张泽 王勇 刘玉资 戴涛 张喆 
国家重点基础研究发展规划项目(973)(No.2002CB613500)资助课题.
关键词:半导体量子阱 自旋电子学 材料研究 多量子阱 电子全息 高分辨电子显微学 透射电子显微术 应用 信息科学技术 
LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期82-86,共5页英敏菊 杜小龙 刘玉资 曾兆权 梅增霞 郑浩 袁洪涛 贾金锋 薛其坤 张泽 
国家自然科学基金(批准号:60476044,60376004),科技部基金(批准号:2002CB613502),教育部留学回国人员科研基金资助项目
利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较...
关键词:ZnO单晶薄膜 RF-MBE LSAT(111) 旋转畴 外延取向 
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