n-ZnO/p-GaN异质结界面工程  

Interface engineering of n-ZnO/p-GaN heterojunction

作　　者：曾兆权[1] 杜小龙[1] 刘玉资[1] 英敏菊[1] 梅增霞[1] 郑浩[1] 袁洪涛[1] 郭丽伟[1] 贾金锋[1] 薛其坤[1] 张泽[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100080 [2]北京工业大学,北京100022

出　　处：《电子显微学报》2005年第4期340-341,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(No.2002CB613500);国家自然科学基金资助项目.

关 键 词：ZNO GaN 发光二极管(LED) 界面工程 异质结 半导体材料 激光二极管 晶体结构 晶格常数 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]