电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性  

Electron holography determination of the growth polarity of GaN/AlGaN multi-quantum well structure

作　　者：戴涛[1] 刘玉资[1] 张泽[2] 

机构地区：[1]北京凝聚态物理国家实验室 [2]北京工业大学,北京100022

出　　处：《物理学报》2006年第11期5829-5834,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613500)资助的课题.~~

摘　　要：介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性.还用会聚束电子衍射方法对电子全息方法的测定结果进行了验证.A method to determine the growth polarity of GaN/A1GaN multi-quantum wells （MQWs） has been proposed. Electron holography （EH） study of the potential profiles of the multi-quantum well structure has been used here to determine the direction of build-in electric field that is strictly related to the growth polarity.

关 键 词：电子全息 生长极性 极化 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]