戴涛

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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：电子全息自旋电子学半导体量子阱信息科学技术多量子阱更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《电子显微学报》更多>>
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电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性
《物理学报》2006年第11期5829-5834,共6页戴涛 刘玉资 张泽 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613500)资助的课题.~~
介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所...
关键词：电子全息 生长极性 极化 
电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用
《电子显微学报》2005年第4期244-244,共1页张泽 王勇 刘玉资 戴涛 张喆 
国家重点基础研究发展规划项目(973)(No.2002CB613500)资助课题.
关键词：半导体量子阱 自旋电子学 材料研究 多量子阱 电子全息 高分辨电子显微学 透射电子显微术 应用 信息科学技术 
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