LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长  

Growth of ZnO Thin Films on LSAT(111) Substrates by Radio Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

作　　者：英敏菊[1] 杜小龙[1] 刘玉资[1] 曾兆权[1] 梅增霞[1] 郑浩[1] 袁洪涛[1] 贾金锋[1] 薛其坤[1] 张泽[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京100080 [2]北京工业大学,北京100022

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期82-86,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60476044,60376004),科技部基金(批准号:2002CB613502),教育部留学回国人员科研基金资助项目

摘　　要：利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.

关 键 词：ZnO单晶薄膜 RF-MBE LSAT(111) 旋转畴 外延取向 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]