薄膜多层内连(TFML)技术  

作　　者：孙文珍[1] 梁彤翔[1] 王英华[1] 李恒德[1] 

机构地区：[1]清华大学材料系

出　　处：《半导体技术》1997年第1期11-14,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：薄膜多层内连（ＴＦＭＬ）是实现集成电路高密度、高速度封装的一种理想途径。本文对ＴＦＭＬ的多种制作工艺进行了简介。

关 键 词：MCM 薄膜多层 电子封装 内连 集成电路 

分 类 号：TN405.97[电子电信—微电子学与固体电子学]