采用局部分子束外延技术的HEMT─HBT集成  

作　　者：张万鹏[1] 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室

出　　处：《半导体技术》1997年第1期23-25,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术。

关 键 词：局部分子束外延 HEMT HBT 微波电路 

分 类 号：TN405.984[电子电信—微电子学与固体电子学]