Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs  

90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理(英文)

作　　者：曹艳荣[1] 马晓华[1] 郝跃[1] 于磊[1] 朱志炜[1] 陈海峰[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第5期665-669,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~

摘　　要：We investigate the negative bias temperature instability （NBTI） of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages （Vg）. We also study models of the time （t） ,temperature （T） ,and stress Vg dependence of 90nm pMOSFETs NBTI degradation. The time model and temperature model are similar to previ- ous studies, with small difference in the key coefficients. A power-law model is found to hold for Vg, which is different from the conventional exponential Vg model. The new model is more predictive than the exponential model when taking lower stress Vg into account.对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.

关 键 词：NBTI 90nm PMOSFETS model 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]