LDMOS微波功率放大器分析与设计  

Analysis and Design of LDMOS Microwave Power Amplifier

作　　者：韩红波[1] 郝跃[1] 冯辉[1] 李德昌[2] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所 [2]西安电子科技大学技术物理学院,西安710071

出　　处：《半导体技术》2007年第2期158-161,共4页Semiconductor Technology

基　　金：陕西省发展基金项目(Y20050608)

摘　　要：在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580-1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30％。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2．5D仿真,得到了理想的结果。Based on the analysis of unconditional stability, a 2-stage LDMOS microwave power amplifier was successfully designed, P-1 was larger than 45 dBm, power gain was over 30 dB at 1580- 1650 MHz, and PAE was over 30%, according to the load-pull result of the input and output impedance by the conjugate match.The layout was gained and it was simulated by 2.5D MOMENTUM, the result is perfect.

关 键 词：横向扩散金属氧化物半导体 ADS软件 功率放大器 负载牵引法 共轭匹配 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]