界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响  

The influence of interfacial FeMn addition on the CoFe/CrPt exchange biased system

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作  者:代波[1] 蔡健旺[2] 赖武彦[2] 

机构地区:[1]西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳621010 [2]中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100086

出  处:《功能材料》2007年第5期727-729,733,共4页Journal of Functional Materials

基  金:国家自然科学基金资助项目(50271081);西南科技大学资助项目(053114)

摘  要:采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×104A/m,而体系的Blocking温度仍然可以达到600℃。CoFe/CrPt exchange biased system was prepared by magnetron sputtering. In order to appear pinning effect, the films were annealed in a vacuum with applied magnetic field. By introduce antiferromagnetic FeMn into the system, we found that about 0. 7nm thickness FeMn into the interface of CoFe/CrPt increase the pinning field from the initial 5.6 × 10^3A/m to 1.55 × 10^4A/m, and the high Blocking temperature of about 600℃ can also be kept.

关 键 词:交换偏置 钉扎场 反铁磁 

分 类 号:O482.54[一般工业技术—材料科学与工程] O484.4[理学—固体物理]

 

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