蔡健旺

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界面掺杂FeMn对CoFe/CrPt交换偏置体系的影响
《功能材料》2007年第5期727-729,733,共4页代波 蔡健旺 赖武彦 
国家自然科学基金资助项目(50271081);西南科技大学资助项目(053114)
采用磁控溅射的方法制备了CoFe/CrPt钉扎的交换偏置体系,用外加磁场真空退火以获得钉扎场。通过把反铁磁的FeMn掺入到该钉扎体系中发现,约0.7nm厚度的FeMn掺入在CoFe/CrPt的界面时,可以使体系的钉扎场从原来的5.6×103A/m增加到1.55×10...
关键词：交换偏置 钉扎场 反铁磁 
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