四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展  

R&D on the Technique for Determining the Resistivity of Micro Areas Sheet Based on Four-Point Probe and EIT

作　　者：谢辉[1] 刘新福[2] 贾科进[1] 闫德立[2] 田建来[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]河北工业大学机械工程学院,天津300130

出　　处：《半导体技术》2007年第5期369-373,共5页Semiconductor Technology

基　　金：河北省教育厅科技计划支持项目(2006449);河北省科学技术研究与发展指导性计划支持项目(06213544)

摘　　要：论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法———电阻抗成像技术(EIT)。给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。A new method： electrical impedance tomography （EIT） is described for determining the distribution of resistivity of semiconductor wafers and thin conducting films. The principle of the four-point probe measurement is reviewed, and it is pointed out that the technique of EIT is grown from an extension of the four-point probe measurement. The basic theory of EIT and reconstruction algorithm are introduced, and it is proposed that it can be applied to measure micro area sheet resistivity. And the designing of EIT system applied for determining the distribution of resistivity of semiconductor wafers and thin conducting films are explored.

关 键 词：四探针法 电阻抗成像 微区薄层电阻 

分 类 号：TN306[电子电信—物理电子学]