110keVC^+入单晶Ta的研究  

作　　者：王天民[1] 王学军[1] 王维洁[1] 史绩 寇昕莉[1] 

机构地区：[1]兰州大学

出　　处：《核技术》1997年第2期65-69,共5页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金;青年基金;中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑开放实验室基金

摘　　要：用能量为１１０ｋｅＶ、剂量为３×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｃ＋对单晶Ｔａ进行了注入，分析了注入层的成分分布及其结构，考察了注入前后表面层摩擦磨损性能的变化及其特征。结果表明，Ｃ＋注入层含有ｈｃｐＴａ２Ｃ及ｂｃｃＴａ（Ｃ）相，其强化效应造成了注入层硬度、耐磨性的提高和摩擦系数的下降；样品表面与淬火态ＧＣｒ１５钢球间的磨损机制也由未注入时的粘着磨损转化为注入后轻微的磨粒磨损。

关 键 词：离子注入 摩擦 磨损 单晶 钽 碳离子 

分 类 号：O614.513[理学—无机化学] TG156.81[理学—化学]