Mn-Mg共掺杂对钛酸锶钡薄膜介电性能的影响  

Influence of Mn-Mg Co-doping on the Dielectric Properties of Barium Strontiun Titanate Thin Film

作　　者：周歧刚[1] 翟继卫[1] 姚熹[1] 

机构地区：[1]同济大学 功能材料研究所

出　　处：《无机材料学报》2007年第3期519-523,共5页Journal of Inorganic Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2002CB613304);上海市科委纳米中心项目(05nm05028);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0378)

摘　　要：用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了系列Mn-Mg共掺杂的钛酸锶钡(Ba0.25Sr0．75TiO3)薄膜．X射线衍射以及场发射扫描电镜分析表明:薄膜为钙钛矿结构且无杂相生成,薄膜表面晶粒均匀、无裂纹．测试了不同浓度掺杂薄膜的介电性能,掺杂浓度为1mol％时,薄膜的介电常数、损耗、可调性和漏电流密度分别为200、0．010、38％、1×10-5A／cm2．性能改善后的薄膜材料可以用来制作微波可调器件．Undoped and Mn-Mg co-doped barium strontiun titanate （Bao.25Sro.75TiO3） thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by a sol-gel technique. X-ray diffraction （XRD） analysis and FE-SEM reveal that the films exhibite a pure perovskite phase structure, uniform grain sizes and crack-fee. The dielectric constant, loss, tunability and leakage current density are 200, 0.010, 38%, 1 × 10^-5A/cm^2, respectively, at a lmol% Mn-Mg content. The improved BST thin films can be used for tunable microwave devices.

关 键 词：BST薄膜 Mn—Mg共掺杂 溶胶-凝胶方法 介电性能 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程] TM22[电气工程—电工理论与新技术]