压力对β-Si_3N_4的电子结构和光学性质的影响  

The Influence of Pressure on the Electronic Structure and Optical Properties of β-Si_3N_4

作　　者：潘洪哲[1] 徐明[2] 丁迎春[2] 沈益斌[2] 

机构地区：[1]临沂师范学院物理系,山东临沂276005 [2]四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川成都610066

出　　处：《四川师范大学学报（自然科学版）》2007年第3期355-359,共5页Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）

基　　金：四川省教育厅自然科学重点基金资助项目

摘　　要：采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.The pressure-dependent electronic structures and optical properties of β-Si3 N4 have been studied by means of plane wave pseudo-potential method （PWP） and generalized gradient approximation （GGA）. The calculated results are in good agreement with those reported experimental results. Furthermore, this paper also analyzes the influence of pressure on other properties of β-Si3 N4.

关 键 词：氮化硅 电子结构 光学性质 

分 类 号：O742[理学—晶体学]