一种新型结构的静电感应晶体管  

A Novel Structure for a Static Induction Transistor

作　　者：唐莹[1] 刘肃[1] 李思渊[1] 吴蓉[2] 常鹏[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所,兰州730000 [2]兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系,兰州730070

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第6期918-922,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：甘肃省自然科学基金资助项目(批准号:3ZS051-A25-034)~~

摘　　要：提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.A new structure is presented for designing and fabricating a static induction transistor （SIT）. The transistor is de-signed to be surrounded by a deep groove to cut off the various probable parasitic effects that may degrade the device per-formance,especially the parallel-current effect.A mathematical model for the parasitic effect of SIT is proposed and simula- ted with PSPICE. The simulation results agree with the experiments. The novel structure is effective for avoiding the parallel-current effect. The etching technique of the groove is also investigated in depth in this paper.

关 键 词：静电感应晶体管 深槽结构 寄生效应 深槽腐蚀 

分 类 号：TN322[电子电信—物理电子学]