基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现  

Realization of NAND FLASH Control Based on ARM9 Processor

作　　者：夏涛[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微电子学院,上海200030

出　　处：《现代电子技术》2007年第11期186-188,共3页Modern Electronics Technique

摘　　要：目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制。实测结果显示,用8bI/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3MB/s,擦除的速度为65MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求。In popular ARM9 CPU,the controller which is not integrated NAND FLASH can control external NAND FLASH by using NOR FLASH or VLIO. Test result shows,with 8bit data width NAND FLASH,the read/write throughput will be 3 MB/s,and the erase speed is 65 MB/s under file system. The Memory control performance can meet handheld device requirement.

关 键 词：NAND FLASH NOR FLASH SDRAM VLIO 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]