氢化硅基非晶体半导体效应与吸收肩的氢键解释  

The hydrogen bond model in amorphour semiconduct for explaning Staeber-Wronski effect and Franz-Keldish effect

作　　者：苏辉[1] 邹永庆[2] 

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程系,200092 [2]华东电子工程研究所,230031

出　　处：《半导体杂志》1997年第1期17-19,共3页

摘　　要：报导了非晶体半导体中的氢键模型,并满意地用该模型解释了氢化硅基非晶半导体的Staeber-Wronski效应和吸收边展宽之"肩"。In this paper, we propose the hydrogen bond model and explane both the photoninduced metastable effects and the shoulder on the absorb edge.

关 键 词：非晶态半导体 光电特性 氢键模型 

分 类 号：TN304.8[电子电信—物理电子学]