半导体器件硅基片的激光去杂探讨  

Experimental study of hot curing of Si wafers by laser

作　　者：程国义[1] 程念政[1] 

机构地区：[1]合肥工业大学

出　　处：《激光杂志》1997年第1期36-39,共4页Laser Journal

摘　　要：介绍硅基片材料激光去杂的实验探讨方法，分析报导了激光去杂的实验结果。In this paper laser gettering technique is introduced.Its principle is analysed and some experimental results are presented.This technique is now on trial in a transistor's production line.

关 键 词：激光去杂 半导体器件 基片 PN结 热特性 

分 类 号：TN305.99[电子电信—物理电子学]