脉冲激光能量密度对ZnS薄膜的影响  

INFLUENCE OF THE LASER PULSE ENERGY DENSITY ON ZNS THIN FILM

作　　者：纠智先[1] 

机构地区：[1]武汉工业学院数理科学系,湖北武汉430023

出　　处：《武汉工业学院学报》2007年第2期104-106,共3页Journal of Wuhan Polytechnic University

摘　　要：采用YAG固体激光器(1064nm)和XeCl(308nm)准分子激光器,利用脉冲激光沉积技术,研究了不同的脉冲激光能量密度和不同波长的激光器对制备的ZnS薄膜的影响。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行了表征。结果表明:脉冲激光能量密度过高会使薄膜质量变坏;XeCl激光器制备的薄膜质量更好。ZnS thin films were deposited by YAG laser （1064nm） and pulsed XeCI （308 nm） laser, varying the laser pulse energy density and using the different lasers. X-ray diffraction （XRD） and scanning electron microscope （SEM） were employed to characterize the structure, morphology of samples. The results show that the laser pulse energy density is too high to deposite the films well. And the films by pulsed XeCl laser were better.

关 键 词：脉冲激光沉积 薄膜 ZNS 等离子体 

分 类 号：O484[理学—固体物理]