掺杂ZnO气敏特性的研究进展  

作　　者：穆建国[1] 马勇[1] 张召涛[1] 刘润华[1] 

机构地区：[1]重庆师范大学物理学和信息技术学院,重庆400047

出　　处：《皖西学院学报》2007年第2期56-59,共4页Journal of West Anhui University

基　　金：重庆市教委科技项目(040810)

摘　　要：ZnO是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文介绍了ZnO的制备和掺杂研究进展及其气敏机理,并指出了今后的发展趋势。

关 键 词：ZNO 掺杂 气敏特性 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]