检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096
出 处:《电子器件》2007年第3期799-803,共5页Chinese Journal of Electron Devices
摘 要:本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-V特性曲线,模拟结果揭示了影响这些直流参数的主要因素,得到了优化直流特性所需的结构参数调整方法.The mechanism of the overcurrent and overvoltage protection module-YD-CLP200M under different protecting modes such as overvoltage, positive surge overcurrent and negative surge overcurrent is analyzed, and the internal equivalent circuits corresponding to structural parameters of the device are given. According to different structural parameters, the I-V characteristics of the switching-on voltage and the positive surge switching-on current are simulated by using MEDICI device simulation tool, whose results indicate the dominating factors that affect these DC parameters, from which we can get adjusting method on structural parameters to optimize the device's DC characteristics.
分 类 号:TN342.3[电子电信—物理电子学] TM862[电气工程—高电压与绝缘技术]
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