沈克强

作品数：17被引量：65H指数：4
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《创新创业理论研究与实践》《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》更多>>
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基于反激式AC-DC开关电源中运放电路设计被引量：1
《科技创新与应用》2021年第32期80-83,87,共5页吴启琴 沈克强 赵俊霞 孙小羊 
国家自然科学基金项目资助项目(编号:61674097);三江学院校级一流品牌资助项目(编号:PP0209XJ2020001)。
现今时代是信息化的时代,信息技术的快速发展使得人们对于电子信息设备及产品的依赖性越来越大,这些设备及产品都离不开电源,其性能对电子产品的各项指标是否正常和其是否可以安全地工作起着重要作用。文章设计是采用CSMC 0.5μm工艺,基...
关键词：CSMC 0.5μm工艺 两级运放 开环增益 相位裕度 
集成电路版图设计课程建设被引量：1
《创新创业理论研究与实践》2021年第19期43-45,共3页吴启琴 沈克强 赵俊霞 孙小羊 
国家自然科学基金项目资助项目(61674097);电子学院-校一流品牌资助项目(PP0209XJ2020001)
基于国家对集成电路产业的大力支持,三江学院开设了集成电路版图设计课程,旨在提高微电子专业方向的本科生在集成电路版图设计中的实际操作技能.该文介绍了该课程的学生培养目标、理论及实践教学内容等建设情况,并进行了后期的规划与展...
关键词：集成电路 版图设计 培养目标 综合实践 
光伏阵列输出特性的研究与分析被引量：3
《科技创新与应用》2019年第1期12-16,共5页吴启琴 贾学林 赵俊霞 张乐 沈克强 
国家自然科学基金项目资助项目(编号:61674097)
光伏发电易受到外界环境的影响发生故障,造成输出功率大幅下降。文章在单个太阳能电池研究的基础上通过理论模型分析、模拟仿真和实验测试,对光伏组件输出特性受局部阴影的影响进行了分析与研究。文中利用Matlab/Simulink软件对光伏阵...
关键词：光伏阵列 局部阴影 输出特性 最大功率点位置 
小尺寸VDMOS阈值电压温度特性模型被引量：3
《电子器件》2009年第1期89-92,共4页姚进 张敏 沈克强 
研究了温度对VDMOS阈值电压中各参数的影响,确定了受温度影响较大的参数。为提高模型的精确度,建立了短沟道的阈值电压温度特性模型,模型考虑到VDMOS元胞结构中的小尺寸效应。最后将250K至500K温度范围内模型的阈值电压温度特性与MEDIC...
关键词：VDMOS 温度特性 阈值电压 短沟道效应 MEDICI 
VDMOS的导通电阻模型被引量：8
《电子器件》2008年第2期537-541,共5页姜艳 陈龙 沈克强 
导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通...
关键词：导通电阻 VDMOS 模型 MEDICI 
产学研办学模式与应用型人才的培养被引量：18
《三江高教》2008年第Z2期11-14,共4页周志祥 张安康 沈克强 
文章针对构建产、学、研办学模式,对培养应用型人才进行研究,分析了在人才培养中采用产学研合作办学模式的重要性。通过课程体系的构建、培养过程的管理、教学方法的改进、毕业设计的实施等环节的改革,为培养适应社会需求的应用型人才...
关键词：产学研合作 人才培养 企业 
通信用过流过压保护模块的工作机理分析
《电子器件》2007年第3期799-803,共5页姚超 沈克强 
本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-...
关键词：过流过压保护模块 开启电压 正浪涌开启电流 
VDMOS等效电路的SPICE模型
《电子器件》2007年第2期495-498,502,共5页刘冠男 陈龙 沈克强 
分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用S...
关键词：VDMOS 等效电路 SPICE 电路仿真 
功率半导体器件的场限环研究被引量：7
《电子器件》2007年第1期210-214,共5页遇寒 沈克强 
分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端...
关键词：功率半导体 击穿电压 场限环 环间距MEDICI表面电荷 
VDMOS场效应晶体管的研究与进展被引量：18
《电子器件》2006年第1期290-295,共6页陈龙 沈克强 
介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破,通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能,而Superjunc...
关键词：VDMOS 特征导通电阻 沟槽结构 Supexjumction 
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